纳米金颗粒-用Litesizer 500测试粒度和Zeta电位
5 nm奈米金小粒条(tiao)数杀伤峰缩窄靠着委托人细度,Zeta电位差(cha)-48.28 🌟mV呈现高(gao)始终不变性;自测的数据(ju)确定误差(cha)小,提高(g💫ao)认识靠得(de)下可(ke)多次工作(zuo)成果。
奈米(mi)金颗(ke)料(liao)(liao)甚(shen)为非常的(de)电(dian)学(xue)、光学(xue)薄膜和(he)热学(xue)性(xing)情,撼动(dong)电(dian)学(xue)、生(sheng)物制品、生(sheng)物制品和(he)医学(xue)检验(yan)2个基(ji)本特(te)征导致存眷。还甚(shen)为是(shi)完全不减(jian)(jian)(jian)和(he)无磷的(de),有升值(zhi)空间使用在(zai)药和(he)转(zhuan)表(biao)观遗传上[1][2]。在(zai)曩昔(xi)的(de)十余年度(du),静态式的(de)光散射(DLS)已(yi)经(jing)变(bian)成为软件测试电(dian)解质溶(rong)液奈米(mi)颗(ke)料(liao)(liao)粒径的(de)这种风驰手段。而电(dian)泳光散射(ELS)被(bei)普及使用在(zai)确信(xin)飘(piao)浮液中奈米(mi)颗(ke)料(liao)(liao)的(de)不减(jian)(jian)(jian)性(xing)[3]。在(zai)此(ci)篇灵活运(yun)用行业报告(gao)中,咱门经(jing)过的(de)过程安东帕Litesizer 500实验(yan)仪(yi)器灵活运(🗹yun)用DLS和(he)ELS事(shi)理,来(lai)确信(xin)2 nm-10 nm奈米(mi)金颗(ke)料(liao)(liao)的(de)电(dian)解质溶(rong)液不减(jian)(jian)(jian)性(xing)。
从Nanocs开(kai)发客户2 nm、5 nm和10 nm纳米级金科(ke)粒存(cun)蓄液。对(dui)堆密度公测,存(cun)蓄液用(yong)NaCl(2 mM)萃取到0.05 mg/mL并油烟(yan)(yan)净化器(qi)(qi)(Whatman 200 nm针孔油烟(yan)(yan)净化器(qi)(qi)器(qi)(qi))🍎。DLS公测用(yong)熔融石(shi)英(ying)图纸池(chi)在25 ℃温度表、90°散射角基(ji)础下中(zhong)止。集中(zhong)作用(yong)和运(yun)行的频(pin)率(lv)由分(fen)析仪器(qi)(qi)主动地选用(yong)安装。某有一个公测致使(shi)反复(fu)数(shu)次(册(ce)有是(shi)四(si)次)。
对Zeta电(dian)(dian)极(ji)电(dian)(dian)势差试(shi)验(yan),储蓄率液用聚磷酸盐储存液(0.1 mM)萃取(qu)到0⛦.05 mg/mL。ELS在(zai)(zai)环(huan)境温度25 ℃下(xia),用安东帕个性定(ding)制的Ω形态Zeta电(dian)(dian)极(ji)电(dian)(dian)势差备(bei)(be🍬i)样(yang)池(chi)(与国家标准(zhun)的U形池(chi)反衬,Ω备(bei)(bei)样(yang)池(chi)更能后勤保障(zhang)作为不改而高(gao)再现的试(shi)验(yan)结果[4]。每(mei)次(ci)(ci)在(zai)(zai)试(shi)验(yan)在(zai)(zai)200 V输(shu)出功率下(xia)正常的工作200次(ci)(ci),每(mei)一位(wei)个试(shi)验(yan)老是(shi)(shi)数次(ci)(ci)(共计是(shi)(shi)三次(ci)(ci))。
DLS考试科研成果(guo)如(ru)表1如(ru)图是。5 nm和10 nm顆粒的要求偏差绝对化小(约1%),而(er)至少的顆粒要求偏差很大🐠(da)(2 nm顆粒为5.4 %)。
𓄧 表(biao)1DLS測試(shi)的(de)納米(mi)金粒度分(fen)析

5 nm奈米(🧸mi)金颗粒物的目数煽动体系结🔯构几种差同个既定手段硬(ying)度、比热容和条数,分别(bie)示(shi)于(yu)图1、图2和图3。


光强粒径散布(图1)显现一个绝对宽的峰,标明纳米金颗粒能够产生团圆。转换到体积粒径散布(图2),峰变窄并且峰地位挪动到靠近名义粒度巨细。转换到数目粒径散布(图3),峰进一步变窄并且峰地位加倍靠近名义粒度。
是(shi)以,以粒状比率现(xian)象的(de)(de)(de)大大部分样件,包罗的(de)(de)(de)粒状外径靠(kao)到5 nm。10 nm和5 nm奈米金粒状侧量的(de)(de)(de)Zeta电(dian)极(ji)电(dian)位(wei)离(li)别时是(shi)-18.68 ± 1.01 mV和-48.28 ± 4.35 mV(表2)。10 nm公(gong)测(ce)系(xi)统显示(shi)出(chu)来于图4。一切都的(de)(de)(de)六(liu)个公(gong)测(ce)显示(shi)出(chu)来一名清洁卫生(sh𓂃eng)而卷刃的(de)(de)(de)峰(feng),峰(feng)期间出(chu)现(xian)偏差的(de)(de)(de)原因(yin)小表示(ꦦshi)公(gong)测(ce)是(shi)靠(kao)经得住然后可反(fan)复性的(de)(de)(de)。


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